1ED3122MC12HXUMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của 1ED3122MC12HXUMA1 bằng Infineon và 1EDN7116GXTMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
1ED3122MC12HXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon
1ED3122MC12HXUMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
1EDN7116GXTMA1 - 200V Single-Channel GaN Gate Driver IC | Infineon
1EDN7116GXTMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | 1ED3122MC12HXUMA1 | 1EDN7116GXTMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Product Type | Isolated Gate Driver (single-channel) | — |
| Isolation Technology | Coreless Transformer (CT) | — |
| Isolation Voltage (Vrms) | 5.7 kVrms | — |
| Maximum Transient Isolation (Vpk) | 8 kVpk | — |
| Output Current (source / sink) | 10 A / 9 A | — |
| Configuration | High-side, non-inverting | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Supply Voltage (VCC / VBS) | 8 V to 35 V | — |
| Propagation Delay (typ.) | 30 ns | — |
| Rise Time / Fall Time (typ.) | 15 ns / 30 ns | — |
| Miller Clamp | Active (integrated) | Integrated, active |
| Short-Circuit Clamping | Yes | — |
| UVLO | Primary and secondary side | Yes (VCC and gate-rail monitored) |
| Nhiệt độ hoạt động | -40 C to +125 C | — |
| Hộp | PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 2 | MSL3 |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Chức năng | — | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs |
| Driver Configuration | — | Non-inverting, single low-side |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 2 A (typ) |
| Peak Sink Current | — | 4 A (typ) |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Switch-Node Blocking Voltage | — | 200 V (max) |
| Propagation Delay (Typ) | — | 9 ns |
| Rise Time (Typ) | — | 3 ns |
| Fall Time (Typ) | — | 3 ns |
| Quiescent Current (Typ) | — | 0.6 mA |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -40 °C to +125 °C |
| Target Switch Technology | — | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET |