BSC009NE2LSATMA1 vs BSC009NE2LS5IATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC009NE2LSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC009NE2LS5IATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET, 0.9mOhm | Infineon

BSC009NE2LSATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET, 0.9mOhm | Infineon

BSC009NE2LSATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 - 25V 0.95mΩ 217A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC009NE2LS5IATMA1 - 25V 0.95mΩ 217A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC009NE2LS5IATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 25V —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS™ 5 (25V/30V family)
Drain-Source Voltage (V_DS) 25 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_a 41 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_c 100 A (Mouser listing), 255 A pulsed (DigiKey) —
Pulsed Drain Current (I_DM) 255 A —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation (T_a) 2.5 W —
Power Dissipation (T_c) 96 W —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) Typ [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C (TJ) -55°C to +150°C
প্যাকেজ / কেস PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 FL) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিন সংখ্যা 8 —
MSL লেভেল 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Manufacturer Part Number — BSC009NE2LS5IATMA1
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Configuration — Single with built-in diode
Drain-Source Voltage (V_DS) max — 25 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — 20 V
Gate-Threshold Voltage V_GS(th) typ — 1.7 V (range 1.0-2.0 V)
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.95 mΩ
Continuous Drain Current (I_D) @ T_A=25°C — 40 A
Continuous Drain Current (I_D) @ T_C=25°C — 217 A (pulsed, datasheet rating)
Power Dissipation (P_D) @ T_A — 2.5 W
Power Dissipation (P_D) @ T_C — 74 W
Total Gate Charge (Q_G) typ — 23 nC @ V_GS=0-4.5V
Input Capacitance (C_iss) typ — 3200 pF
প্যাকেজ — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Terminal Finish — Matte Tin (e3 per JESD-609)
Number of Terminals — 8

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট