BSC009NE2LSATMA1 vs BSC009NE2LS5IATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC009NE2LSATMA1 מאת Infineon ו BSC009NE2LS5IATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 25V —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS™ 5 (25V/30V family)
Drain-Source Voltage (V_DS) 25 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_a 41 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_c 100 A (Mouser listing), 255 A pulsed (DigiKey) —
Pulsed Drain Current (I_DM) 255 A —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation (T_a) 2.5 W —
Power Dissipation (T_c) 96 W —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) Typ [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C (TJ) -55°C to +150°C
מארז / Case PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 FL) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 8 —
רמת MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Manufacturer Part Number — BSC009NE2LS5IATMA1
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Configuration — Single with built-in diode
Drain-Source Voltage (V_DS) max — 25 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — 20 V
Gate-Threshold Voltage V_GS(th) typ — 1.7 V (range 1.0-2.0 V)
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.95 mΩ
Continuous Drain Current (I_D) @ T_A=25°C — 40 A
Continuous Drain Current (I_D) @ T_C=25°C — 217 A (pulsed, datasheet rating)
Power Dissipation (P_D) @ T_A — 2.5 W
Power Dissipation (P_D) @ T_C — 74 W
Total Gate Charge (Q_G) typ — 23 nC @ V_GS=0-4.5V
Input Capacitance (C_iss) typ — 3200 pF
מארז — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Terminal Finish — Matte Tin (e3 per JESD-609)
Number of Terminals — 8

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר