BSC009NE2LSATMA1 vs BSC009NE2LS5IATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC009NE2LSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC009NE2LS5IATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 25V —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS™ 5 (25V/30V family)
Drain-Source Voltage (V_DS) 25 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_a 41 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_c 100 A (Mouser listing), 255 A pulsed (DigiKey) —
Pulsed Drain Current (I_DM) 255 A —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation (T_a) 2.5 W —
Power Dissipation (T_c) 96 W —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) Typ [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (TJ) -55°C to +150°C
پیکیج / کیس PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 FL) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 8 —
MSL لیول 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Manufacturer Part Number — BSC009NE2LS5IATMA1
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Configuration — Single with built-in diode
Drain-Source Voltage (V_DS) max — 25 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — 20 V
Gate-Threshold Voltage V_GS(th) typ — 1.7 V (range 1.0-2.0 V)
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.95 mΩ
Continuous Drain Current (I_D) @ T_A=25°C — 40 A
Continuous Drain Current (I_D) @ T_C=25°C — 217 A (pulsed, datasheet rating)
Power Dissipation (P_D) @ T_A — 2.5 W
Power Dissipation (P_D) @ T_C — 74 W
Total Gate Charge (Q_G) typ — 23 nC @ V_GS=0-4.5V
Input Capacitance (C_iss) typ — 3200 pF
پیکیج — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Terminal Finish — Matte Tin (e3 per JESD-609)
Number of Terminals — 8

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں