BSC027N04LSGATMA1 vs BSC032N04LSATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC027N04LSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC032N04LSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC027N04LSGATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 - 40V 3.2mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC032N04LSATMA1 - 40V 3.2mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC032N04LSATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC027N04LSGATMA1 BSC032N04LSATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A 21 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A 98 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
পাওয়ার ডিসিপেশন (TC=25°C) 83 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55°C to +150°C —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 5 trench
MSL লেভেল 1 —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
হ্যালোজেন মুক্ত Yes —
Part Series — OptiMOS 5 40V
FET Type — N-Channel
RDS(on) max at VGS=10V — 3.2 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 52 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55°C to +175°C
Lead-Free — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট