BSC027N04LSGATMA1 vs BSC032N04LSATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci BSC027N04LSGATMA1 disebabkan oleh Infineon dan BSC032N04LSATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr BSC027N04LSGATMA1 BSC032N04LSATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Jenis Transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A 21 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A 98 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
Pembuangan Kuasa (TC=25°C) 83 W —
Gambaran Suhu Operasi -55°C to +150°C —
Kemasan PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 5 trench
Aras MSL 1 —
Status RoHS Compliant Compliant
Boson Bebas Yes —
Part Series — OptiMOS 5 40V
FET Type — N-Channel
RDS(on) max at VGS=10V — 3.2 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 52 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Suhu Hubungan Operasi — -55°C to +175°C
Lead-Free — Yes

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga