BSC027N04LSGATMA1 vs BSC032N04LSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC027N04LSGATMA1 tarafından Infineon ve BSC032N04LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC027N04LSGATMA1 BSC032N04LSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A 21 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A 98 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
Güç Tüketimi (TC=25°C) 83 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C —
Paket PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 5 trench
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Klorürsüz Yes —
Part Series — OptiMOS 5 40V
FET Type — N-Channel
RDS(on) max at VGS=10V — 3.2 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 52 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +175°C
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin