BSC076N06NS3GATMA1 vs IPD034N06N3GATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC076N06NS3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD034N06N3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 - 60V 50A 7.6mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSC076N06NS3GATMA1 | IPD034N06N3GATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 50 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 7.6 mΩ | 3.4 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | 10.4 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: max VGS rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 3.5 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 69 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +150C | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL লেভেল | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes (per Infineon product page) | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 167 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 4 V at 93 uA |
| Pin Configuration | — | 3-Pin (2 + Tab) |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant (Pb-free green finish) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product page) |