BSC076N06NS3GATMA1 vs IPD034N06N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC076N06NS3GATMA1 tarafından Infineon ve IPD034N06N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC076N06NS3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 50 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7.6 mΩ 3.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 69 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Paket PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Compliance Compliant —
Klorürsüz Yes (per Infineon product page) —
Series — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 167 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 4 V at 93 uA
Pin Configuration — 3-Pin (2 + Tab)
RoHS Durumu — Compliant (Pb-free green finish)
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product page)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin