BSP315PH6327XTSA1 vs BSL308PEH6327XTSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSP315PH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSL308PEH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 - 30V 2A Dual P-Ch MOSFET | Infineon

BSL308PEH6327XTSA1 - 30V 2A Dual P-Ch MOSFET | Infineon

BSL308PEH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSP315PH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type P-Channel 2x P-Channel (Dual)
Technology OptiMOS (enhancement mode) —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) -2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 500 mW (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +150 C (junction) —
প্যাকেজ PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS
Configuration — Dual, common source
অপারেটিং তাপমাত্রা — -55 C to +150 C (TJ)
Automotive Qualification — AEC-Q101
পিনের সংখ্যা — 6
Channel Mode — Enhancement
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট