BSP315PH6327XTSA1 vs BSL308PEH6327XTSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSP315PH6327XTSA1 bằng Infineon và BSL308PEH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 - 30V 2A Dual P-Ch MOSFET | Infineon

BSL308PEH6327XTSA1 - 30V 2A Dual P-Ch MOSFET | Infineon

BSL308PEH6327XTSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSP315PH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type P-Channel 2x P-Channel (Dual)
Technology OptiMOS (enhancement mode) —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) -2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 500 mW (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 C to +150 C (junction) —
Hộp PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS
Configuration — Dual, common source
Nhiệt độ hoạt động — -55 C to +150 C (TJ)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Số lượng chân — 6
Channel Mode — Enhancement
Trạng thái RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá