BSP315PH6327XTSA1 vs BSL308PEH6327XTSA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSP315PH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSL308PEH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 - 30V 2A Dual P-Ch MOSFET | Infineon

BSL308PEH6327XTSA1 - 30V 2A Dual P-Ch MOSFET | Infineon

BSL308PEH6327XTSA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSP315PH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type P-Channel 2x P-Channel (Dual)
Technology OptiMOS (enhancement mode) —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) -2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 500 mW (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +150 C (junction) —
पैकेज PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS
Configuration — Dual, common source
ऑपरेटिंग तापमान — -55 C to +150 C (TJ)
Automotive Qualification — AEC-Q101
पिन की संख्या — 6
Channel Mode — Enhancement
RoHS स्थिति — Compliant

डेटाशीट और संसाधन

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