BSP315PH6327XTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSP315PH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSR802NL6327HTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSP315PH6327XTSA1 BSR802NL6327HTSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type P-Channel —
Technology OptiMOS (enhancement mode) OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +150 C (junction) —
প্যাকেজ PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSR802NL6327HTSA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) max — 3.7 A (Ta=25C)
Power Dissipation (PD) max — 500 mW (Ta=25C)
On-Resistance (RDS(on)) typ — 23 mOhm @ VGS=4.5 V
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55C to +150C
Qualification — Automotive
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant
পিন সংখ্যা — 3

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট