BSP315PH6327XTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP315PH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSR802NL6327HTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP315PH6327XTSA1 BSR802NL6327HTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type P-Channel —
Technology OptiMOS (enhancement mode) OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (junction) —
پیکیج PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSR802NL6327HTSA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) max — 3.7 A (Ta=25C)
Power Dissipation (PD) max — 500 mW (Ta=25C)
On-Resistance (RDS(on)) typ — 23 mOhm @ VGS=4.5 V
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +150C
Qualification — Automotive
RoHS اسٹیٹس — Compliant
پن کی تعداد — 3

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں