BSP315PH6327XTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSP315PH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSR802NL6327HTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSP315PH6327XTSA1 | BSR802NL6327HTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | P-Channel | — |
| Technology | OptiMOS (enhancement mode) | OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -1.17 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +150 C (junction) | — |
| पैकेज | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSR802NL6327HTSA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 3.7 A (Ta=25C) |
| Power Dissipation (PD) max | — | 500 mW (Ta=25C) |
| On-Resistance (RDS(on)) typ | — | 23 mOhm @ VGS=4.5 V |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +150C |
| Qualification | — | Automotive |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| पिन काउंट | — | 3 |