BSP316PH6327XTSA1 vs BSS169H6327XTSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSP316PH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSS169H6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP316PH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 - 100V N-Ch Depletion MOSFET 170mA | Infineon

BSS169H6327XTSA1 - 100V N-Ch Depletion MOSFET 170mA | Infineon

BSS169H6327XTSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSP316PH6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type P-Channel N-Channel Depletion Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -680 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C 1.8 W —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] Pinch-off approx. -3.5 V (typical)
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
প্যাকেজ PG-SOT223-4 (TO-261-4) PG-SOT23 (SOT-23-3)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +150 C (junction) [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range]
পিনের সংখ্যা 3 + thermal tab —
Channel Mode Enhancement —
Technology SIPMOS (P-channel MOSFET) Depletion-mode vertical DMOS
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Packaging Tape & Reel (H6327 suffix) —
Continuous Drain Current (ID) — 170 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 360 mW (Ta)
RDS(on) Maximum — 6 Ohm at VGS=0 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating]
পিন সংখ্যা — 3
Lead-Free — Yes
Drain Current at 25C — 170 mA continuous
Typical RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট