BSR315PH6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSR315PH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSS214NWH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSR315PH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR315PH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
Series OptiMOS P-Channel OptiMOS
FET Type P-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -620 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 800 mOhm @ -620 mA, -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) ±20 V (max VGS) —
Input Capacitance (Ciss) 176 pF @ 25 V —
Total Gate Charge (Qg) 6 nC @ 10 V —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +150 C (TJ) —
প্যাকেজ PG-SC59-3 / SOT-23-3 PG-SOT323 (SOT-323-3)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিন সংখ্যা 3 —
Packaging Tape & Reel (TR) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product family marking) —
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 1.5 A
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 250 mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.5 V, 4.5 V
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 500 mW
অপারেটিং তাপমাত্রা — -55C to +150C (junction)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Lead-Free — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট