BSR315PH6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSR315PH6327XTSA1 מאת Infineon ו BSS214NWH6327XTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 ✓ פעיל
Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSR315PH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR315PH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
Series OptiMOS P-Channel OptiMOS
FET Type P-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -620 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 800 mOhm @ -620 mA, -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) ±20 V (max VGS) —
Input Capacitance (Ciss) 176 pF @ 25 V —
Total Gate Charge (Qg) 6 nC @ 10 V —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +150 C (TJ) —
מארז PG-SC59-3 / SOT-23-3 PG-SOT323 (SOT-323-3)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 —
Packaging Tape & Reel (TR) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product family marking) —
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 1.5 A
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 250 mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.5 V, 4.5 V
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 500 mW
טמפרטורת פעולה — -55C to +150C (junction)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר