BSR315PH6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci BSR315PH6327XTSA1 disebabkan oleh Infineon dan BSS214NWH6327XTSA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr BSR315PH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR315PH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
Series OptiMOS P-Channel OptiMOS
FET Type P-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -620 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 800 mOhm @ -620 mA, -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) ±20 V (max VGS) —
Input Capacitance (Ciss) 176 pF @ 25 V —
Total Gate Charge (Qg) 6 nC @ 10 V —
Gambaran Suhu Operasi -55 C to +150 C (TJ) —
Kemasan PG-SC59-3 / SOT-23-3 PG-SOT323 (SOT-323-3)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Kiraan Pin 3 —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Status RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product family marking) —
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 1.5 A
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 250 mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.5 V, 4.5 V
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 500 mW
Suhu Operasi — -55C to +150C (junction)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Lead-Free — Yes

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga