BSR802NL6327HTSA1 vs BSD235CH6327XTSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSR802NL6327HTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSD235CH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™

BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™

BSD235CH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSR802NL6327HTSA1 BSD235CH6327XTSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR802NL6327HTSA1 —
Technology OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS™ low-voltage
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) max 3.7 A (Ta=25C) —
Power Dissipation (PD) max 500 mW (Ta=25C) —
On-Resistance (RDS(on)) typ 23 mOhm @ VGS=4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
প্যাকেজ PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55C to +150C —
Qualification Automotive —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant (lead-free)
পিন সংখ্যা 3 6
Part Family — OptiMOS™
Configuration — N+P complementary dual MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55 °C to +150 °C (junction)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement
MSL লেভেল — 1

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট