BSS126H6327XTSA2 vs BSS123NH6327XTSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSS126H6327XTSA2 নির্দিষ্ট Infineon ও BSS123NH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 - 600V N-Ch Depletion MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS126H6327XTSA2 - 600V N-Ch Depletion MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS126H6327XTSA2 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSS126H6327XTSA2 BSS123NH6327XTSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel Depletion Mode N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
প্যাকেজ SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT23 (SOT-23-3)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C (junction, typical) -55 °C to +150 °C (junction)
পিন সংখ্যা 3 —
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
Lead-Free Yes —
হ্যালোজেন মুক্ত Yes (Infineon 'green' package) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS123NH6327XTSA1
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
RDS(on) Max — 6 Ω @ VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)]
Gate-Source Voltage Max (VGS) — ±20 V
Qualification — AEC-Q101 (automotive)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free lead plating)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট