BSS126H6327XTSA2 vs BSS123NH6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSS126H6327XTSA2 توسط Infineon و BSS123NH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSS126H6327XTSA2 BSS123NH6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel Depletion Mode N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
بسته‌بندی SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT23 (SOT-23-3)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction, typical) -55 °C to +150 °C (junction)
تعداد پایه 3 —
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes (Infineon 'green' package) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS123NH6327XTSA1
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
RDS(on) Max — 6 Ω @ VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)]
Gate-Source Voltage Max (VGS) — ±20 V
Qualification — AEC-Q101 (automotive)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free lead plating)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت