BSS126H6327XTSA2 vs BSS123NH6327XTSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSS126H6327XTSA2 מאת Infineon ו BSS123NH6327XTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSS126H6327XTSA2 BSS123NH6327XTSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel Depletion Mode N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
מארז SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT23 (SOT-23-3)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C (junction, typical) -55 °C to +150 °C (junction)
מספר פינים 3 —
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
סטטוס RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
נטול הלוגנים Yes (Infineon 'green' package) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS123NH6327XTSA1
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
RDS(on) Max — 6 Ω @ VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)]
Gate-Source Voltage Max (VGS) — ±20 V
Qualification — AEC-Q101 (automotive)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free lead plating)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר