BSS126H6327XTSA2 vs BSS123NH6327XTSA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS126H6327XTSA2 द्वारा Infineon और BSS123NH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 - 600V N-Ch Depletion MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS126H6327XTSA2 - 600V N-Ch Depletion MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS126H6327XTSA2 ✓ सक्रिय
Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSS126H6327XTSA2 BSS123NH6327XTSA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel Depletion Mode N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
पैकेज SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT23 (SOT-23-3)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C (junction, typical) -55 °C to +150 °C (junction)
पिन काउंट 3 —
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS स्थिति Compliant —
Lead-Free Yes —
हैलोजन फ्री Yes (Infineon 'green' package) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS123NH6327XTSA1
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
RDS(on) Max — 6 Ω @ VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)]
Gate-Source Voltage Max (VGS) — ±20 V
Qualification — AEC-Q101 (automotive)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free lead plating)

डेटाशीट और संसाधन

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