BSS806NH6327XTSA1 vs BSS806NEH6327XTSA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSS806NH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSS806NEH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSS806NH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 2 MOSFET, SOT-23 | Infineon
BSS806NH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSS806NH6327XTSA1 | BSS806NEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 2 (trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V | 20 V (maximum) |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 2.3 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 57 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.8 V rated (logic level) | — |
| Gate Drive (recommended VGS) | 1.8 V to 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 500 mW | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +150 C (junction) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| প্যাকেজ | PG-SOT23-3 (SOT-23-3) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (Pb-free plating) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSS806NEH6327XTSA1 |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Mode of Operation | — | Enhancement-mode |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 2.3 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| On-Resistance RDS(on) | — | 57 mOhm (maximum) |
| পিন সংখ্যা | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Yes (compliant) |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified (automotive grade) |