BSS806NH6327XTSA1 vs BSS806NEH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS806NH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSS806NEH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS806NH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 2 (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V 20 V (maximum)
Continuous Drain Current (ID, Ta) 2.3 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 57 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.8 V rated (logic level) —
Gate Drive (recommended VGS) 1.8 V to 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Power Dissipation (PD, Ta) 500 mW —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
پیکیج PG-SOT23-3 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free plating) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS806NEH6327XTSA1
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Mode of Operation — Enhancement-mode
Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-Resistance RDS(on) — 57 mOhm (maximum)
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Yes (compliant)
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں