BSS806NH6327XTSA1 vs BSS806NEH6327XTSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSS806NH6327XTSA1 bằng Infineon và BSS806NEH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSS806NH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 2 MOSFET, SOT-23 | Infineon
BSS806NH6327XTSA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSS806NH6327XTSA1 | BSS806NEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 2 (trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V | 20 V (maximum) |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 2.3 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 57 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.8 V rated (logic level) | — |
| Gate Drive (recommended VGS) | 1.8 V to 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 500 mW | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +150 C (junction) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Hộp | PG-SOT23-3 (SOT-23-3) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (Pb-free plating) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSS806NEH6327XTSA1 |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Mode of Operation | — | Enhancement-mode |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 2.3 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| On-Resistance RDS(on) | — | 57 mOhm (maximum) |
| Số chân | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Yes (compliant) |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified (automotive grade) |