BSZ0901NSIATMA1 vs BSG0813NDIATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSZ0901NSIATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSG0813NDIATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSG0813NDIATMA1 BSG0813NDIATMA1 - 25V 19A/33A OptiMOS 5 Power Block | Infineon

BSG0813NDIATMA1 - 25V 19A/33A OptiMOS 5 Power Block | Infineon

BSG0813NDIATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSZ0901NSIATMA1 BSG0813NDIATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ0901NSIATMA1 —
Series OptiMOS 25V OptiMOS 5 Power Block
Technology OptiMOS trench N-channel MOSFET —
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET Array (half-bridge / synchronous buck)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 25 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 69 W —
প্যাকেজ PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) PG-TISON-8 (5.0 x 6.0 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিন সংখ্যা 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] [DATA_NEEDED: Qg total]
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +150 C (typical MOSFET range) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Configuration — High-side + Low-side, integrated
Low-Side Continuous Drain Current (ID) — 19 A
High-Side Continuous Drain Current (ID) — 33 A
Power Dissipation (PD) — 2.5 W
RDS(on) - Low-Side — [DATA_NEEDED: RDS(on) low-side @ VGS]
RDS(on) - High-Side — [DATA_NEEDED: RDS(on) high-side @ VGS]
Technology Generation — OptiMOS 5
MSL লেভেল — 1 (per JEDEC J-STD-020)
টপোলজি — Synchronous buck half-bridge

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট