BSZ0901NSIATMA1 vs BSG0813NDIATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSZ0901NSIATMA1 מאת Infineon ו BSG0813NDIATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSZ0901NSIATMA1 BSG0813NDIATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ0901NSIATMA1 —
Series OptiMOS 25V OptiMOS 5 Power Block
Technology OptiMOS trench N-channel MOSFET —
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET Array (half-bridge / synchronous buck)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 25 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 69 W —
מארז PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) PG-TISON-8 (5.0 x 6.0 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] [DATA_NEEDED: Qg total]
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +150 C (typical MOSFET range) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Configuration — High-side + Low-side, integrated
Low-Side Continuous Drain Current (ID) — 19 A
High-Side Continuous Drain Current (ID) — 33 A
Power Dissipation (PD) — 2.5 W
RDS(on) - Low-Side — [DATA_NEEDED: RDS(on) low-side @ VGS]
RDS(on) - High-Side — [DATA_NEEDED: RDS(on) high-side @ VGS]
Technology Generation — OptiMOS 5
רמת MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
טופולוגיה — Synchronous buck half-bridge

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר