BSZ0901NSIATMA1 vs BSG0813NDIATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSZ0901NSIATMA1 bằng Infineon và BSG0813NDIATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSG0813NDIATMA1 BSG0813NDIATMA1 - 25V 19A/33A OptiMOS 5 Power Block | Infineon

BSG0813NDIATMA1 - 25V 19A/33A OptiMOS 5 Power Block | Infineon

BSG0813NDIATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSZ0901NSIATMA1 BSG0813NDIATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ0901NSIATMA1 —
Series OptiMOS 25V OptiMOS 5 Power Block
Technology OptiMOS trench N-channel MOSFET —
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET Array (half-bridge / synchronous buck)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 25 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 69 W —
Hộp PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) PG-TISON-8 (5.0 x 6.0 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số chân 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] [DATA_NEEDED: Qg total]
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 C to +150 C (typical MOSFET range) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Configuration — High-side + Low-side, integrated
Low-Side Continuous Drain Current (ID) — 19 A
High-Side Continuous Drain Current (ID) — 33 A
Power Dissipation (PD) — 2.5 W
RDS(on) - Low-Side — [DATA_NEEDED: RDS(on) low-side @ VGS]
RDS(on) - High-Side — [DATA_NEEDED: RDS(on) high-side @ VGS]
Technology Generation — OptiMOS 5
Cấp MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Cấu trúc — Synchronous buck half-bridge

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá