BSZ110N08NS5ATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSZ110N08NS5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSZ130N03LSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSZ130N03LSGATMA1 - 30V OptiMOS N-FET, 35A, PG-TSDSON-8 | Infineon
BSZ130N03LSGATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSZ110N08NS5ATMA1 | BSZ130N03LSGATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 | OptiMOS 25V / 30V |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 11 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 50 W | — |
| প্যাকেজ | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) | PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single MOSFET | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS rating] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55 C to +150 C (junction) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (Ta=25 C) | — | 10 A |
| কন্টিনিউয়াস ড্রেইন কারেন্ট (TC=25°C) | — | 35 A |
| On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V | — | 13 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA | — | 2.2 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 25 W |
| Lead-Free | — | Yes |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes |
| Qualification | — | Industrial / Commercial (non-automotive) |