H5AN4G8NBJR-UHI vs K4A8G085WC-BCWE তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5AN4G8NBJR-UHI নির্দিষ্ট SK hynix ও K4A8G085WC-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | H5AN4G8NBJR-UHI | K4A8G085WC-BCWE |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | SK hynix | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | — | In Stock |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $7.38 |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 8 Gb |
| সংগঠন | 512M x 8 | 1G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| প্যাকেজ | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78FBGA |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| ডেটা রেট | 2400 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| ইন্টারফেস | JEDEC DDR4 SDRAM | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | Standard DDR4 refresh mechanisms |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per JLCPCB listing) |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V |
| Application Class | — | Computing / Embedded main memory |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups (8n prefetch) |
| Speed Bin Suffix | — | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) |
| On-Die Termination | — | Yes (DDR4 ODT) |