H5TC4G63AFR-PBJ vs MT41K256M16RE-125:D তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5TC4G63AFR-PBJ নির্দিষ্ট SK hynix ও MT41K256M16RE-125:D নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | H5TC4G63AFR-PBJ | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | SK hynix | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 4 Gb (256M x 16) | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35 V | 1.35 V |
| প্যাকেজ | 96-ball TFBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| ডেটা রেট | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] | 1600 MT/s |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 11 |
| Access Time | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| সংগঠন | — | 256M x 16 |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | 0C to +95C (TC) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |