H5TC4G63AFR-PBJ vs MT41K256M16RE-125:D موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5TC4G63AFR-PBJ بذریعہ SK hynix اور MT41K256M16RE-125:D بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5TC4G63AFR-PBJ | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gb (256M x 16) | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | 1.35 V |
| پیکیج | 96-ball TFBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| ڈیٹا ریٹ | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] | 1600 MT/s |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 11 |
| Access Time | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| تنظیم | — | 256M x 16 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0C to +95C (TC) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |