H5TC4G63AFR-PBJ vs MT41K256M16RE-125:D So sánh
So sánh chi tiết song song của H5TC4G63AFR-PBJ bằng SK hynix và MT41K256M16RE-125:D bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | H5TC4G63AFR-PBJ | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| Thương hiệu | SK hynix | Micron Technology |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 4 Gb (256M x 16) | — |
| Điện áp cung cấp | 1.35 V | 1.35 V |
| Hộp | 96-ball TFBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Tốc độ dữ liệu | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] | 1600 MT/s |
| Latency CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 11 |
| Access Time | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Tổ chức | — | 256M x 16 |
| Nhiệt độ hoạt động | — | 0C to +95C (TC) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |