H5TC4G63AFR-PBJ vs NT5CC256M16ER-EK তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5TC4G63AFR-PBJ নির্দিষ্ট SK hynix ও NT5CC256M16ER-EK নির্দিষ্ট Nanya Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | H5TC4G63AFR-PBJ | NT5CC256M16ER-EK |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | SK hynix | Nanya Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 4 Gb (256M x 16) | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35 V | 1.35 V |
| প্যাকেজ | 96-ball TFBGA | TFBGA-96 |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| ডেটা রেট | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Access Time | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Density | — | 4 Gbit |
| সংগঠন | — | 256M x 16 |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | 0°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| ইন্টারফেস | — | Parallel |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Surface Mount |
| Lead-Free | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |