H5TC4G63AFR-PBJ vs NT5CC256M16ER-EK तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63AFR-PBJ द्वारा SK hynix और NT5CC256M16ER-EK द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5TC4G63AFR-PBJ | NT5CC256M16ER-EK |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gb (256M x 16) | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35 V |
| पैकेज | 96-ball TFBGA | TFBGA-96 |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| डेटा दर | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Access Time | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Density | — | 4 Gbit |
| संगठन | — | 256M x 16 |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| Lead-Free | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |