H5TC4G63AFR-PBJ vs NT5CC256M16ER-EK موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5TC4G63AFR-PBJ بذریعہ SK hynix اور NT5CC256M16ER-EK بذریعہ Nanya Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBJ H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ ✓ فعال
Nanya Technology
NT5CC256M16ER-EK NT5CC256M16ER-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EK ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5TC4G63AFR-PBJ NT5CC256M16ER-EK
برانڈ SK hynix Nanya Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
میموری سائز 4 Gb (256M x 16) —
سپلائی وولٹیج 1.35 V 1.35 V
پیکیج 96-ball TFBGA TFBGA-96
Temperature Grade Industrial (-40°C to +95°C) —
Refresh Cycles 8192 —
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 —
ڈیٹا ریٹ [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] 933 MHz (DDR3L-1866)
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Access Time 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Data Mask Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Density — 4 Gbit
تنظیم — 256M x 16
آپریٹنگ درجہ حرارت — 0°C to +95°C
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
انٹرفیس — Parallel
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
Lead-Free — Yes
Dynamic ODT — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں