IAUCN08S7L013ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUCN08S7L013ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUCN10S5L280DATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IAUCN08S7L013ATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1 - 80V N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L013ATMA1 - 80V N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L013ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IAUCN08S7L013ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 5
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) 1.26 mΩ —
কন্টিনিউয়াস ড্রেইন কারেন্ট (TC=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] —
Continuous Drain Current (TJ) 293 A —
Power Dissipation (TC) 219 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 °C to +175 °C -55C to +175C (junction)
প্যাকেজ PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (suffix ATMA1) —
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Technology — OptiMOS 5 Trench MOSFET
পিন সংখ্যা — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট