IAUCN08S7L013ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN08S7L013ATMA1 מאת Infineon ו IAUCN10S5L280DATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IAUCN08S7L013ATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1 - 80V N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L013ATMA1 - 80V N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L013ATMA1 ✓ פעיל
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IAUCN08S7L013ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 5
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) 1.26 mΩ —
זרם ניקוז רציף (TC=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] —
Continuous Drain Current (TJ) 293 A —
Power Dissipation (TC) 219 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C -55C to +175C (junction)
מארז PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (suffix ATMA1) —
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Technology — OptiMOS 5 Trench MOSFET
מספר פינים — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר