IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN08S7L110ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUCN10S5L280DATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUCN08S7L110ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IAUCN08S7L110ATMA1 IAUCN08S7L110ATMA1 - 80V 11mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L110ATMA1 - 80V 11mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L110ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN08S7L110ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array Single
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) Yes (AEC-Q101 expected per family)
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET OptiMOS™ (Trench)
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +175C (junction) —
পিন সংখ্যা 8 —
MSL লেভেল 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) — 50 A
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) — 58 W
R<sub>DS(on)</sub> (typ., V<sub>GS</sub>=10 V) — 11 mΩ
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) max — [DATA_NEEDED: V_GS_max]
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: V_GS_th]
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) — [DATA_NEEDED: Q_G_total]
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55 °C to +175 °C
Polarity — Single N-Channel

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট