IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN08S7L110ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN10S5L280DATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7L110ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN10S5L280DATMA1 | IAUCN08S7L110ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | Single |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | 23 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 38 W | — |
| Paket | PG-TDSON-8-61 (SSO8) | PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) | Yes (AEC-Q101 expected per family) |
| Technology | OptiMOS 5 Trench MOSFET | OptiMOS™ (Trench) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (junction) | — |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| MSL Seviyesi | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Packing | Tape & Reel (T&R) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) | — | 50 A |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) | — | 58 W |
| R<sub>DS(on)</sub> (typ., V<sub>GS</sub>=10 V) | — | 11 mΩ |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS_max] |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | — | [DATA_NEEDED: V_GS_th] |
| Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) | — | [DATA_NEEDED: Q_G_total] |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |
| Polarity | — | Single N-Channel |