IGL65R080D2XUMA1 vs IGLR70R270D2SXUMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IGL65R080D2XUMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IGLR70R270D2SXUMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 - 700V GaN Transistor, 270mΩ CoolGaN G5 | Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IGL65R080D2XUMA1 | IGLR70R270D2SXUMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN G5 | CoolGaN™ G5 |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 18 A | 7.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 81 W | 28 W |
| On-Resistance RDS(on) | 80 mΩ (typical) | — |
| প্যাকেজ | PG-TSON-8-U06 (ThinPAK 8x8) | PG-TSON-8-8 (ThinPAK) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount, wettable flank | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 °C to +150 °C (TJ) | -40C to +150C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Technology | GaN-on-Si, 200 mm wafer | Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode |
| Typical Applications | SMPS, totem-pole PFC, LLC, USB-PD adapters | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020, where stated) | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| On-State Resistance (RDS(on), typ.) | — | 270 mΩ |
| Gate Drive | — | 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) |
| Wafer Process | — | 200 mm (8-inch) GaN-on-Si |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | 0 nC (no body diode) |