IGL65R080D2XUMA1 vs IGLR70R270D2SXUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IGL65R080D2XUMA1 tarafından Infineon ve IGLR70R270D2SXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 - 700V GaN Transistor, 270mΩ CoolGaN G5 | Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IGL65R080D2XUMA1 | IGLR70R270D2SXUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN G5 | CoolGaN™ G5 |
| Transistor Türü | N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 18 A | 7.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 81 W | 28 W |
| On-Resistance RDS(on) | 80 mΩ (typical) | — |
| Paket | PG-TSON-8-U06 (ThinPAK 8x8) | PG-TSON-8-8 (ThinPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount, wettable flank | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +150 °C (TJ) | -40C to +150C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Technology | GaN-on-Si, 200 mm wafer | Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode |
| Typical Applications | SMPS, totem-pole PFC, LLC, USB-PD adapters | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020, where stated) | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| On-State Resistance (RDS(on), typ.) | — | 270 mΩ |
| Gate Drive | — | 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) |
| Wafer Process | — | 200 mm (8-inch) GaN-on-Si |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | 0 nC (no body diode) |