IGL65R080D2XUMA1 vs IGLR70R270D2SXUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IGL65R080D2XUMA1 द्वारा Infineon और IGLR70R270D2SXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 - 700V GaN Transistor, 270mΩ CoolGaN G5 | Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IGL65R080D2XUMA1 | IGLR70R270D2SXUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN G5 | CoolGaN™ G5 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 18 A | 7.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 81 W | 28 W |
| On-Resistance RDS(on) | 80 mΩ (typical) | — |
| पैकेज | PG-TSON-8-U06 (ThinPAK 8x8) | PG-TSON-8-8 (ThinPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount, wettable flank | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +150 °C (TJ) | -40C to +150C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Technology | GaN-on-Si, 200 mm wafer | Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode |
| Typical Applications | SMPS, totem-pole PFC, LLC, USB-PD adapters | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020, where stated) | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| On-State Resistance (RDS(on), typ.) | — | 270 mΩ |
| Gate Drive | — | 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) |
| Wafer Process | — | 200 mm (8-inch) GaN-on-Si |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | 0 nC (no body diode) |