IKW20N60TFKSA1 vs IKW50N65H5FKSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IKW20N60TFKSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IKW50N65H5FKSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 - 600V 20A TrenchStop IGBT | Infineon TO-247

IKW20N60TFKSA1 - 600V 20A TrenchStop IGBT | Infineon TO-247

IKW20N60TFKSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 - 650V 50A IGBT Single | Infineon TO-247

IKW50N65H5FKSA1 - 650V 50A IGBT Single | Infineon TO-247

IKW50N65H5FKSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IKW20N60TFKSA1 IKW50N65H5FKSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি IGBTs Transistors
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IKW20N60TFKSA1 —
Part Status Active —
IGBT Type Trench Field Stop —
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V —
Current - Collector (Ic) Max @ 25C 40 A —
Current - Collector (Ic) Continuous 20 A —
Power - Max 166 W —
Switching Energy (Eon+Eoff) [DATA_NEEDED: switching energy value] —
Vce(on) at Ic, Tj=25C [DATA_NEEDED: Vce(sat) at rated condition] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: gate charge value] —
Input Capacitance (Cies) [DATA_NEEDED: input capacitance value] —
Reverse Recovery Time (trr) of co-packaged diode [DATA_NEEDED: trr value] —
Td(on)/Td(off) [DATA_NEEDED: turn-on/off delay times] —
Operating Temperature Junction (Tj) -40C to +175C —
প্যাকেজ / কেস TO-247-3 (PG-TO247-3-1) —
মাউন্টিং টাইপ Through Hole Through Hole
Diode Configuration Anti-parallel (co-packaged, full-rated) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant (per Infineon)
Technology Family TRENCHSTOP IGBT3 —
Product Type — IGBT Single Transistor
Technology — TRENCHSTOP 5 (H5 high-speed family)
Collector-Emitter Voltage (VCE) — 650 V
Continuous Collector Current (IC, TC=25C) — 80 A
Continuous Collector Current (IC, TC=100C) — 50 A
Pulsed Collector Current (ICM) — [DATA_NEEDED: ICM value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 305 W
কালেক্টর-এমিটার স্যাচুরেশন ভোল্টেজ (Vce(sat)) — 1.65 V at IC = 50 A
Gate-Emitter Voltage (VGE) max — 20 V (typical rating)
Gate Threshold Voltage (VGE(th)) — [DATA_NEEDED: VGE(th) value]
Built-in Diode — Yes, anti-parallel co-packaged diode
Operating Junction Temperature (Tj) — -40 C to +175 C (typical IGBT max)
প্যাকেজ — TO-247 (PG-TO247-3), 3 pins
Packing — Tube (240 pcs/tube per Infineon product page)
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস — Active (per Infineon product page)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট