IKW20N60TFKSA1 vs IKW50N65H5FKSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IKW20N60TFKSA1 bằng Infineon và IKW50N65H5FKSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IKW20N60TFKSA1 | IKW50N65H5FKSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | IGBTs | Transistors |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IKW20N60TFKSA1 | — |
| Part Status | Active | — |
| IGBT Type | Trench Field Stop | — |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V | — |
| Current - Collector (Ic) Max @ 25C | 40 A | — |
| Current - Collector (Ic) Continuous | 20 A | — |
| Power - Max | 166 W | — |
| Switching Energy (Eon+Eoff) | [DATA_NEEDED: switching energy value] | — |
| Vce(on) at Ic, Tj=25C | [DATA_NEEDED: Vce(sat) at rated condition] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: gate charge value] | — |
| Input Capacitance (Cies) | [DATA_NEEDED: input capacitance value] | — |
| Reverse Recovery Time (trr) of co-packaged diode | [DATA_NEEDED: trr value] | — |
| Td(on)/Td(off) | [DATA_NEEDED: turn-on/off delay times] | — |
| Operating Temperature Junction (Tj) | -40C to +175C | — |
| Hộp / Vỏ | TO-247-3 (PG-TO247-3-1) | — |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Through Hole |
| Diode Configuration | Anti-parallel (co-packaged, full-rated) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant (per Infineon) |
| Technology Family | TRENCHSTOP IGBT3 | — |
| Product Type | — | IGBT Single Transistor |
| Technology | — | TRENCHSTOP 5 (H5 high-speed family) |
| Collector-Emitter Voltage (VCE) | — | 650 V |
| Continuous Collector Current (IC, TC=25C) | — | 80 A |
| Continuous Collector Current (IC, TC=100C) | — | 50 A |
| Pulsed Collector Current (ICM) | — | [DATA_NEEDED: ICM value] |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 305 W |
| N Nap-Emit (Vce(sat)) | — | 1.65 V at IC = 50 A |
| Gate-Emitter Voltage (VGE) max | — | 20 V (typical rating) |
| Gate Threshold Voltage (VGE(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGE(th) value] |
| Built-in Diode | — | Yes, anti-parallel co-packaged diode |
| Operating Junction Temperature (Tj) | — | -40 C to +175 C (typical IGBT max) |
| Hộp | — | TO-247 (PG-TO247-3), 3 pins |
| Packing | — | Tube (240 pcs/tube per Infineon product page) |
| Trạng thái vòng đời | — | Active (per Infineon product page) |