IPD22N08S2L50ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD22N08S2L50ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD50N06S409ATMA2 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPD22N08S2L50ATMA1 - 75V 27A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IPD22N08S2L50ATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD22N08S2L50ATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 27 A | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 75 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 23 mOhm (typical) | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V and VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-Level (typ. 1.7-2.5 V) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Avalanche Energy Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 C to +175 C | -55 °C to +175 °C |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL লেভেল | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | AEC-Q101 |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Green Package) | — |
| Technology | — | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| পিন সংখ্যা | — | 3 (2 + Tab) |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |