IPD22N08S2L50ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD22N08S2L50ATMA1 tarafından Infineon ve IPD50N06S409ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPD22N08S2L50ATMA1 - 75V 27A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IPD22N08S2L50ATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD22N08S2L50ATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 27 A | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 75 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 23 mOhm (typical) | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V and VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-Level (typ. 1.7-2.5 V) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Avalanche Energy Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +175 C | -55 °C to +175 °C |
| Paket | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | AEC-Q101 |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Green Package) | — |
| Technology | — | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| Pin Sayısı | — | 3 (2 + Tab) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |