IPD70N10S312ATMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD70N10S312ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD60R280P7SAUMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD70N10S312ATMA1 | IPD60R280P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IPD70N10S312ATMA1 | — |
| Product Family | OptiMOS-T Power-Transistor | — |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | 12 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 125 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | 4 V max @ ID = 190 µA |
| Input Capacitance (Ciss) | 4355 pF @ 25 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 65 nC @ 10 V | — |
| Operating Temperature (TJ) | -55 °C to +175 °C | — |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL লেভেল | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) | 1 |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Tested | 100 % (per datasheet) | — |
| RoHS Compliance | Green product, RoHS compliant | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 280 mΩ (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 53 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -40 °C to +150 °C |
| Technology | — | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel |
| Series | — | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| Integrated ESD Protection | — | Yes |